電子陶瓷產(chǎn)品龍頭，第三代半導(dǎo)體開啟第二成長曲線，給予“買入”評級。

    　　數(shù)據(jù)通信、5G 基站建設(shè)、元器件自主可控訴求增加，是公司電子陶瓷業(yè)務(wù)成長的主要邏輯。目前公司在積極推進GaN 射頻芯片和SiC 功率模塊資產(chǎn)的注入，交易完成后，公司將成為國內(nèi)領(lǐng)先且稀缺的GaN 射頻芯片和SiC 功率模塊IDM廠商。不考慮注入資產(chǎn)并表，我們預(yù)計2022~2024 年，公司歸母凈利潤為1.64、2.10、2.68 億元，EPS 為0.78、1.01、1.28 元，當前股價對應(yīng)2022~2024 年P(guān)E為123.1、96.1、75.5 倍，首次覆蓋，給予“買入”評級。

    　　電子陶瓷：技術(shù)和工藝行業(yè)領(lǐng)先，自主可控提供成長動力公司在電子陶瓷領(lǐng)域擁有成熟的技術(shù)和工藝，自主掌握90％氧化鋁陶瓷、95％氧化鋁陶瓷和氮化鋁三種陶瓷陶瓷體系。在設(shè)計方面，公司擁有先進的設(shè)計手段和設(shè)計軟件平臺。5G 通信建設(shè)、全球數(shù)據(jù)中心數(shù)量大幅增長，推動光模塊用量提升，并使得光通訊器件外殼市場的穩(wěn)步壯大，全球多家著名的光電器件廠商均是公司客戶，通信器件外殼未來成長穩(wěn)健。SAW 濾波器國產(chǎn)化提速，作為國內(nèi)領(lǐng)先的聲表濾波器陶瓷外殼供應(yīng)商，未來消費電子外殼有望迎來快速增長。

    　　擬注入優(yōu)質(zhì)資產(chǎn)，實現(xiàn)GaN 射頻和SiC 模塊IDM 布局2022 年9 月21 日，公司發(fā)布購買資產(chǎn)并募集配套資金交易報告書（草案）（修訂稿），擬購買氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債100%股權(quán)、博威公司73%股權(quán)、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。本次交易完成后，中瓷電子將實現(xiàn)GaN 通信射頻芯片和SiC 功率模塊的IDM 布局。GaN 通信射頻芯片，標的資產(chǎn)是國內(nèi)少數(shù)實現(xiàn)GaN 5G 基站射頻芯片與器件技術(shù)突破和大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化批量供貨單位之一，客戶覆蓋國內(nèi)通信行業(yè)龍頭企業(yè)。SiC 功率模塊，在第一階段生產(chǎn)線建設(shè)完成后，標的資產(chǎn)將具備碳化硅功率模塊的設(shè)計、制造和封裝測試的整體能力。

    　　現(xiàn)有的碳化硅功率模塊包括650V、1200V 和1700V 等系列產(chǎn)品，主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域。

    　　風險提示：資產(chǎn)注入交易失敗、下游需求疲軟、競爭加劇、原材料漲價風險等。

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