近日,擁有第三代半導(dǎo)體器件及模塊、電子陶瓷材料及元件兩大業(yè)務(wù)板塊的中瓷電子,交出了度營(yíng)收、凈利雙增的年度業(yè)績(jī)答卷。
2023年,公司完成收購(gòu)后業(yè)務(wù)穩(wěn)健,收入和凈利潤(rùn)分別增長(zhǎng)6.52%和7.11%,達(dá)到26.76億元和4.90億元。在毛利率維持穩(wěn)健的基礎(chǔ)上,規(guī)模效應(yīng)和成本控制使得凈利率有所提升。2023年第四季度,隨著市場(chǎng)需求的修復(fù),收入和利潤(rùn)均有所增長(zhǎng)。
2024年一季度,雖然受5G基站建設(shè)放緩和中低速率電子陶瓷需求低迷的影響,公司業(yè)績(jī)小幅下滑,但加速轉(zhuǎn)型升級(jí)以推動(dòng)高端高速光模塊配套的電子陶瓷外殼及基板放量,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化助力盈利能力提升,毛利率、凈利率均實(shí)現(xiàn)提升。
展望未來(lái),競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗(yàn)的中瓷電子,隨著下游多領(lǐng)域需求共振,有望打開新的成長(zhǎng)空間。
競(jìng)爭(zhēng)壁壘成型的領(lǐng)域頭部玩家
2023年10月,中瓷電子完成重大資產(chǎn)重組,成為擁有氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用、電子陶瓷等核心業(yè)務(wù)能力的高科技企業(yè),重組后業(yè)務(wù)分為第三代半導(dǎo)體器件及模塊、電子陶瓷材料及元件兩大板塊。
其中第三代半導(dǎo)體器件及模塊包含:1、主要在通信基站中用于移動(dòng)通信基站發(fā)射鏈路,實(shí)現(xiàn)對(duì)通信射頻信號(hào)功率放大的氮化鎵通信基站射頻芯片與器件;2、基于自有先進(jìn)芯片技術(shù)的碳化硅功率模塊及其應(yīng)用,中低壓碳化硅功率產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域;高壓碳化硅功率產(chǎn)品瞄準(zhǔn)智能電網(wǎng)、動(dòng)力機(jī)車、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)對(duì)硅基IGBT功率產(chǎn)品的覆蓋與替代。
電子陶瓷材料及元件則包含:1、通信器件用電子陶瓷外殼、工業(yè)激光器用電子陶瓷外殼、消費(fèi)電子陶瓷外殼及基板、汽車電子件、精密陶瓷零部件在內(nèi)的電子陶瓷業(yè)務(wù);2、主要為旗下博威公司及國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾提供其終端產(chǎn)品生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)所需的氮化鎵通信基站射頻芯片。
目前公司已經(jīng)在各業(yè)務(wù)領(lǐng)域構(gòu)建起了全方位的競(jìng)爭(zhēng)壁壘。
首先第三代半導(dǎo)體器件及模塊方面,公司擁有5G大功率基站氮化鎵射頻器件平臺(tái)、5GMIMO基站氮化鎵射頻器件平臺(tái)、微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信射頻器件平臺(tái)、半導(dǎo)體器件可靠性技術(shù)研究平臺(tái),獲批建設(shè)有“河北省通信基站用第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院”、“第三代半導(dǎo)體功率器件和微波射頻器件河北省工程研究中心”。
目前已成功突破了氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信射頻芯片與器件領(lǐng)域設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試、可靠性和質(zhì)量控制等環(huán)節(jié)關(guān)鍵技術(shù),擁有核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品系列化開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。并具備氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信射頻芯片與器件批量生產(chǎn)能力,目前,公司在氮化鎵基站功放領(lǐng)域市場(chǎng)占有率國(guó)內(nèi)第一,產(chǎn)品技術(shù)與質(zhì)量均達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平。
同時(shí),作為國(guó)內(nèi)較早開展SiC功率半導(dǎo)體的研究生產(chǎn)單位之一,公司現(xiàn)有SiC功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產(chǎn)品,主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域。當(dāng)前國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾的SiC功率產(chǎn)品質(zhì)量及穩(wěn)定性得到比亞迪、珠海零邊界等主要客戶的認(rèn)可,已與比亞迪、格力等重要客戶簽訂供貨協(xié)議并供貨,展現(xiàn)出了充分的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
而在電子陶瓷材料及元件領(lǐng)域,開創(chuàng)了我國(guó)光通信器件陶瓷外殼產(chǎn)品的中瓷電子,已成為國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的高端電子陶瓷外殼制造商,入選國(guó)務(wù)院國(guó)資委創(chuàng)建世界一流專業(yè)領(lǐng)軍示范企業(yè)、工信部第八批制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)和專精特新“小巨人”企業(yè)等。
公司現(xiàn)掌握系列化氧化鋁陶瓷和系列化氮化鋁陶瓷以及與其相匹配金屬化體系在內(nèi)的多種陶瓷體系知識(shí)產(chǎn)權(quán)。同時(shí),公司先進(jìn)的設(shè)計(jì)手段和設(shè)計(jì)軟件平臺(tái),可以對(duì)陶瓷外殼進(jìn)行結(jié)構(gòu)、布線、電、熱、可靠性等進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),旗下800Gbps光通信器件外殼已與國(guó)外同類產(chǎn)品技術(shù)水平相當(dāng),具備氧化鋁、氮化鋁等陶瓷材料與新型金屬封接的熱力學(xué)可靠性仿真能力,滿足新一代無(wú)線功率器件外殼散熱和可靠性需求。
2023年,公司持續(xù)加大精密陶瓷零部件領(lǐng)域的研發(fā)和投入力度,已開發(fā)了氧化鋁、氮化鋁精密陶瓷零部件產(chǎn)品,建立了精密陶瓷零部件制造工藝平臺(tái),開發(fā)的陶瓷加熱盤產(chǎn)品核心技術(shù)指標(biāo)已達(dá)到國(guó)際同類產(chǎn)品水平并通過(guò)用戶驗(yàn)證,已批量應(yīng)用于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備中。
并且,公司還擁有4/6英寸氮化鎵射頻芯片產(chǎn)品,頻率覆蓋通信主要頻段400MHz~6.0GHz的典型頻段,功率覆蓋2-1000W的系列芯片,是國(guó)內(nèi)少數(shù)能實(shí)現(xiàn)批量供貨主體之一。
2023業(yè)績(jī)?nèi)嬖鲩L(zhǎng) 2024盈利質(zhì)量再提升
營(yíng)收、凈利全面增長(zhǎng),中瓷電子2023年業(yè)績(jī)表現(xiàn)不俗。
年報(bào)資料顯示,公司于2023年完成資產(chǎn)重組,并始終著力于主營(yíng)業(yè)務(wù)發(fā)展和核心技術(shù)創(chuàng)新,不斷加強(qiáng)公司的研發(fā)能力、提高產(chǎn)品的質(zhì)量以及提升生產(chǎn)效率,同時(shí)也在不斷積極開拓新市場(chǎng),擴(kuò)展新產(chǎn)品,保持公司產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。此背景下,公司營(yíng)收總規(guī)模同比增長(zhǎng)6.52%至26.76億元。
同時(shí),公司整體毛利率維持35.61%的高位,整體費(fèi)用率還同比減少1.85個(gè)百分點(diǎn)至13.82%,使得公司歸母凈利潤(rùn)達(dá)到4.9億元,同比增速為7.11%,扣除非經(jīng)常性損益之后的歸母凈利潤(rùn)為2.98億元,同比大幅增長(zhǎng)149.94%。同時(shí),公司年度經(jīng)營(yíng)活動(dòng)產(chǎn)生的現(xiàn)金流量?jī)纛~也達(dá)到5.44億元,同比基本持平,經(jīng)營(yíng)質(zhì)量同樣良好。
資料來(lái)源:公司公告
2024年一季度,在市場(chǎng)低迷背景下,中瓷電子盈利質(zhì)量仍穩(wěn)步提升。
2024年第一季度受5G基站建設(shè)放緩和中低速率電子陶瓷需求疲軟影響,公司收入5.48億元,凈利潤(rùn)0.83億元,同比小幅下滑。不過(guò)公司通過(guò)轉(zhuǎn)型升級(jí),推動(dòng)高端高速光模塊配套的電子陶瓷外殼和基板放量,實(shí)現(xiàn)了盈利能力的提升。毛利率和凈利率分別增長(zhǎng)1.10%和1.94%,至33.37%和18.14%。并且公司2024一季度研發(fā)費(fèi)用同比增長(zhǎng)32.01%至0.72億元,還在持續(xù)強(qiáng)化產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
多領(lǐng)域需求放量 中瓷電子增長(zhǎng)基石穩(wěn)固
首先在第三代半導(dǎo)體器件及模塊業(yè)務(wù)領(lǐng)域,據(jù)Yole報(bào)告統(tǒng)計(jì)分析,2022年全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約為17.9億美元,其中新能源汽車相關(guān)應(yīng)用占比達(dá)75%;預(yù)計(jì)到2028年全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模接近90億美元,新能源汽車相關(guān)應(yīng)用占比高達(dá)85%,每年以超34%年均復(fù)合增長(zhǎng)率快速增長(zhǎng),市場(chǎng)潛力巨大。
而且公司碳化硅功率產(chǎn)品基于自有先進(jìn)芯片技術(shù),碳化硅功率系列產(chǎn)品在技術(shù)參數(shù)、制造成本等方面的有明顯的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),中低壓碳化硅功率產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域,高壓碳化硅功率產(chǎn)品瞄準(zhǔn)智能電網(wǎng)、動(dòng)力機(jī)車、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)對(duì)硅基IGBT功率產(chǎn)品的覆蓋與替代。
同時(shí)在電子陶瓷材料及元件業(yè)務(wù)領(lǐng)域,得益于下游通信、消費(fèi)電子、國(guó)防軍工等眾多行業(yè)的廣闊市場(chǎng)需求,電子陶瓷行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大,近幾年市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)維持10%以上增速增長(zhǎng)。
2020年,我國(guó)電子陶瓷行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到763.2億元。近幾年隨著5G通信技術(shù)、消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的需求增加,中國(guó)電子陶瓷行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)繼續(xù)保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)中商情報(bào)網(wǎng)數(shù)據(jù)預(yù)測(cè),截止至2022年,我國(guó)電子陶瓷市場(chǎng)規(guī)模接近1000億元。
并且,當(dāng)下人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等新一代信息技術(shù),正加速集成創(chuàng)新與突破,推動(dòng)經(jīng)濟(jì)社會(huì)各領(lǐng)域數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化、智能化轉(zhuǎn)型不斷深化,全球新一輪AI技術(shù)爆發(fā)帶動(dòng)算力需求激增。
根據(jù)中國(guó)信通院《中國(guó)算力發(fā)展指數(shù)白皮書》預(yù)計(jì)未來(lái)五年全球算力規(guī)模將以超過(guò)50%的速度增長(zhǎng),到2025年全球計(jì)算設(shè)備算力總規(guī)模將超過(guò)3ZFlops,至2030年將超過(guò)20ZFlops。算力增長(zhǎng)必將推動(dòng)了數(shù)字經(jīng)濟(jì)蓬勃發(fā)展,帶動(dòng)半導(dǎo)體、通信、消費(fèi)電子、新能源汽車等行業(yè)持續(xù)增長(zhǎng),以光模塊為代表的電子元器件和半導(dǎo)體設(shè)備等行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)穩(wěn)步上升。
據(jù)Lightcounting數(shù)據(jù)顯示,2021年全球光模塊市場(chǎng)規(guī)模為73.7億美元,預(yù)計(jì)隨著未來(lái)幾年數(shù)據(jù)通信高速發(fā)展,光模塊市場(chǎng)將迎來(lái)快速增長(zhǎng)期。根據(jù)Lightcounting預(yù)測(cè),2025年全球光模塊市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到113.2億美元,CAGR約為11%。
數(shù)據(jù)來(lái)源:Lightcounting,華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院,F(xiàn)rost&Sullivan,前瞻產(chǎn)業(yè)研究院
多應(yīng)用領(lǐng)域需求潛力巨大的背景下,中瓷電子還將進(jìn)行產(chǎn)能升級(jí)。
公司擬以非公開發(fā)行股份方式,募集不超過(guò)25億元,其中16.5億元用于投資,研發(fā)建設(shè)新項(xiàng)目。其中博威公司擬開展“氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”與“通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”,增強(qiáng)第三代半導(dǎo)體氮化鎵射頻芯片與器件中工藝設(shè)計(jì)及封測(cè)環(huán)節(jié)的生產(chǎn)能力,滿足國(guó)內(nèi)通信設(shè)備廠商未來(lái)在5G基站市場(chǎng)對(duì)微波/射頻產(chǎn)品的需求,增強(qiáng)公司技術(shù)能力。
國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾擬開展“第三代半導(dǎo)體工藝及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目”與“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”,進(jìn)一步在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中延伸,提高碳化硅功率模塊的產(chǎn)品性能和可靠性。
展望未來(lái),隨著下游多領(lǐng)域需求共振,中瓷電子精密陶瓷零部件和SiC加速產(chǎn)品驗(yàn)證與客戶突破疊加新建產(chǎn)能逐步釋放,有望打開新的成長(zhǎng)空間。